SK하이닉스, 미국에서 열린 FMS 2024에서 첨단 기술 과시
SK하이닉스가 6일부터 8일까지(미국 시간) 미국 캘리포니아주 산타 클라라(Santa Clara)에서 진행된 FMS(Future of Memory and Storage) 2024에 참가해 첨단 낸드플래시(NAND Flash, 이하 낸드) 솔루션과 D램(DRAM) 메모리를 첨단 제품을 소개했다.
FMS는 Flash Memory Summit(플래시 메모리 서밋)이란 이름으로 지난 18년간 이어져 온 낸드 전문 포럼이다. 올해부터 주최 측은 Future Memory and Storage(미래 메모리 및 저장장치)로 행사명을 새로 정의하고, 포럼 범위를 D램을 포함한 메모리와 스토리지 전 영역으로 확장했다.
SK하이닉스는 ‘MEMORY, THE POWER OF AI’란 슬로건을 내걸고, 낸드와 D램을 아우르는 제품과 솔루션을 대거 공개했다. 특히 회사는 기조연설, 발표 세션과 전시를 연계한 구성으로 눈길을 끌었다. 또한, 고객사 시스템에 주력 제품을 적용한 협업 사례를 공개하며, 글로벌 파트너사와의 공고한 파트너십도 강조했다.
이번 행사에서 SK하이닉스는 낸드 솔루션과 D램 메모리를 통해 AI 시대의 페인 포인트(Pain Point)를 해결하고 지속적인 AI 발전을 도모한다는 내용으로 전시관을 꾸렸다. ▲AI Memory & Storage, ▲NAND Tech, Mobile & Automotive, ▲AI PC & CMS 2.0, ▲OCS, Niagara & CXLxSSD 4개 섹션으로 부스를 구성하고 39종 이상의 제품을 선보였다.
AI Memory & Storage 섹션에서는 PCIe Gen5 인터페이스를 지원하는 ‘PS1010 E3.S(이하 PS1010)’를 2U 서버 시스템과 함께 선보였다. PS1010은 초고성능 기업용 SSD(Enterprise SSD, eSSD)로, 176단 4D 낸드를 다수 결합한 패키지 제품이다. PE8110 PCIe Gen4 대비, 읽기/쓰기 속도가 최대 150% 이상 향상됐고, 100% 이상 개선된 전성비를 갖췄다. 이 제품은 서버 운영에 최적화돼 머신러닝 성능 향상은 물론 운영비 및 탄소 배출량 감소에도 도움을 줄 것으로 기대를 모은다.
이 섹션에서 회사는 동일 인터페이스에 238단 4D 낸드를 적용하여 폼팩터를 확장한 라인업 ‘PEB110 E1.S’와 솔리다임의 ‘QLC 고용량(60TB) eSSD’도 주력 낸드 제품으로 내세웠다.
D램으로는 AI 최적화 8U 서버인 HGX부터 최신 GPU까지 다양한 고객사의 시스템을 전시하고, 인증된 자사의 DDR5 DIMM과 HBM3E를 소개했다. 아울러 초당 최대 1.2TB(테라바이트) 데이터를 처리하는 현존 최고 성능의 AI 메모리 ‘HBM3E 12단’부터 저장과 연산을 동시에 수행하는 ‘GDDR6-AiM’, 초당 9.6Gb(기가비트) 동작 속도를 내는 모바일 D램 ‘LPDDR5T’, 고성능 서버용 모듈 ‘MCRDIMM’, DDR5와 장착해 기존 시스템 대비 최대 50%의 대역폭, 최대 100%의 용량 확장 효과를 내는 ‘CMM(CXL Memory Module)-DDR5’ 등을 모아 섹션을 장식했다.
NAND Tech, Mobile & Automotive 섹션에서는 세계 최고층 ‘321단 웨이퍼’와 ‘321단 TLC 및 QLC 4D 낸드 패키지’ 샘플을 전시했고, 모바일용 ‘UFS 4.1’과 ‘ZUFS’ 4.0 샘플 또한 공식적으로 처음 선보였다. 업계 최고 성능의 ZUFS 4.0은 스마트폰 등 모바일 기기에서 온디바이스 AI를 구현하는 데 최적화된 메모리로 평가받고 있다.
AI PC & CMS 2.0 섹션에서는 PCIe Gen5 소비자용 SSD(Client SSD, cSSD)인 ‘PCB01’을 공개했다. 이 제품은 초당 14GB의 연속 읽기, 초당 12GB의 연속 쓰기 속도를 자랑하며, 이전 세대 대비 30% 개선된 전력 효율을 보여준다. 압도적인 성능을 갖춘 PCB01은 온디바이스 AI PC에 장착돼 대규모 AI 연산 작업을 효율적으로 해낼 것으로 기대를 모으고 있다.
이 섹션에서 SK하이닉스는 CXL 메모리에 연산 기능을 더한 차세대 메모리 솔루션 ‘CMS(Computational Memory Solution) 2.0’도 전시했다. 특히 CPU와 동등한 데이터 처리 성능을 보여준 실증, 평가를 공개하며 관람객의 눈길을 사로잡았다.
OCS, Niagara & CMMxSSD 섹션에서는 미국 로스앨러모스 국립 연구소(Los Alamos National Laboratory, LANL)와 공동 개발한 ‘객체 기반 컴퓨팅 스토리지(Object Based Computational Storage, OCS)’를 소개했다. OCS는 컴퓨팅 노드의 도움 없이 스토리지 자체적으로 데이터 분석을 수행해 결과 값만 서버에 전송하는 솔루션이다. 이를 활용하면 방대한 양의 데이터를 이동시켜 분석하는 기존 시스템 대비 데이터 분석 성능을 크게 향상할 수 있다.
이외에도 회사는 여러 호스트(CPU, GPU 등)가 용량을 나눠 쓰도록 설계한 CXL 풀드 메모리(Pooled Memory) 솔루션 ‘나이아가라(Niagara) 2.0’을 공개했다. 이 솔루션은 유휴 메모리를 없애고 전력 소모를 줄여, 향후 AI 및 HPC(고성능 컴퓨팅) 시스템에 쓰일 호스트들의 성능을 높일 것으로 기대된다.
이와 함께 CMM-DDR5를 지원하는 소프트웨어로, 자체 개발한 ‘HMSDK’도 소개했다. 시스템 대역폭과 용량을 확장해 주는 이 솔루션은 일반 D램 모듈과 CMM-DDR5 간의 효율적인 인터리빙을 통해 대역폭을 넓히고, 데이터 사용 빈도에 따라 적합한 메모리 장치로 데이터를 재배치해 시스템 성능을 개선해 준다. 최근에는 리눅스 커널을 포함한 여러 오픈소스 프로젝트에 성공적으로 반영돼, 전 세계 데이터 센터에서 CMM-DDR5가 효율적으로 사용될 수 있는 기반을 만들었다고 회사는 강조했다.
이 섹션에서 선보인 OCS, 나이아가라 2.0의 성능 실증을 발표 세션에서 공개하고, CXL AI Memory & Storage 섹션에서 소개한 제품을 기조연설과 연계하여 설명하는 등 보다 입체적인 전시 경험을 제공하며 많은 호응을 이끌었다.
한편, SK하이닉스는 이번 행사에서 주요 연사로 참여하며 AI 메모리 리더로서의 면모를 보여주기도 했다.
첫날 기조연설에는 권언오 부사장(HBM PI 담당)과 김천성 부사장(WW SSD PMO)이 무대에 올랐다. 두 임원은 ‘AI 시대, 메모리와 스토리지 솔루션 리더십과 비전(AI Memory & Storage Solution Leadership and Vision for AI Era)’을 주제로, 낸드와 D램 전 분야에서 두각을 드러내고 있는 SK하이닉스의 기술력과 비전을 공유했다.
이튿날까지 이어진 발표에도 구성원들이 주요 강연자로 참석해 반도체 공정 기술, OCS 개발 방향, 나이아가라 2.0의 특장점, HyperScale Data Center 메모리 기술 혁신을 발표했고, SOLAB 김호식 담당은 AI, HPC 및 인 메모리 데이터베이스 애플리케이션 대응하는 CXL 메모리에 대한 패널 토크에 참여했다.
